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DMTH6004SPS-13  与  BSC028N06LS3 G  区别

型号 DMTH6004SPS-13 BSC028N06LS3 G
唯样编号 A-DMTH6004SPS-13 A-BSC028N06LS3 G
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.8mΩ@50A,10V
上升时间 - 17ns
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.1W(Ta),167W(Tc) 139W
Qg-栅极电荷 - 175nC
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3.1mΩ@50A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4556 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 60S
典型关闭延迟时间 - 77ns
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 95.4 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 PG-TDSON-8-1
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 25A(Ta),100A(Tc) 100A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS™
驱动电压 10V -
长度 - 5.9mm
下降时间 - 19ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6004SPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

暂无价格 0 当前型号
BSC028N06LS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC028N06LS3 G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC034N06NSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC034N06NS_8-PowerTDFN

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BSC028N06LS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC028N06LS3GATMA1_5.9mm PG-TDSON-8-1

暂无价格 0 对比
DMTH6004SPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

PowerDI5060-8

暂无价格 0 对比
DMTH6004SPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

PowerDI5060-8

¥4.0892 

阶梯数 价格
2,500: ¥4.0892
12,500: ¥3.7863
0 对比

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